這20年來，VCSEL在應用了氧化物結構之后實現了轉換效率從10%向40%的一路提升，此后主流量產VCSEL芯片一直維持在35-40%左右。
同理，在大功率激光器中應用的泵源芯片，光電轉換效率在突破70%之后很難在保證可靠性的條件向更高效率演進。
此外，在高低溫下保證同樣的高效率，同時兼顧器件工業級可靠性和遠場(Far-field)/近場(Near-field)光源質量，這非?？简炘O計團隊對材料特性的理解和整體結構的把控。
仟目激光的研發總監楊旭博士提到，在去年8月份完成第一代VCSEL量產之后，公司就在構思下一代產品的演進。“光電功率器件不同于傳統集成電路半導體器件的設計，后者擁有整套的設計流程和仿真系統，有時可以通過局部的優化實現整體性能的提升。我們做的VCSEL是一種功率模擬器件，對某一層進行優化有時候反而會影響整體性能，所以對于產品性能提升需要在多個維度同時進行調整。如同讓一輛車跑的更快，需要同時對其內在動力系統和外觀風阻設計通盤考慮一樣。
"當然這是大家一起努力的故事”
（天樞1.2W的芯片的光電轉換效率在50°C下可達44%）
據了解，仟目激光由一批海外歸國的業界最優秀的博士工程師團隊所組建，基于多年的經驗積累，仟目團隊重新設計并自主研發了性能優異的VCSEL芯片，并實現了工業級VCSEL的芯片量產。對于VCSEL芯片，光電轉換效率是一項關鍵的性能指標，更高的效率意味著更少的電能消耗，更低的工作溫度，輸出更高功率的激光，這對于消費電子至關重要。在這項關鍵指標上，仟目激光去年已經實現了VCSEL在0-50°C全工作溫度下，均到達40%的轉換效率，位于國際頭部水平。
基于對于自身的嚴格要求，和對于性能完美的不斷追求，仟目持續不斷的進行著芯片研發領域的投入，在已有的芯片設計和工藝基礎上進行改進，做到“快速迭代，小步快跑”，積累了大量的經驗。目前從量產水平上，50°C的光電轉換效率可以到達44%，該性能指標已經達到甚至超越了世界一流工業級水平。
（上圖：天樞二代芯片50°C下晶圓級PCE分布）
*https://www.osa-opn.org/
同時，可靠性是反映芯片質量的另一個重要維度，它考驗了芯片的設計和工藝水平。仟目激光對于芯片的可靠性一直有著執著的追求，在大量的實驗中，仟目芯片經歷85°C環境高溫、高注入電流，能夠運行1000小時以上，等效工作時間大于32萬小時，且并未見到光功率的衰減（見下圖左）。芯片的百萬壞點數遠少于業界平均水平（見下圖右）。事實證明該芯片不僅可遠遠滿足消費級別的應用，其高可靠性更可以勝任安防和工業級三維機器視覺的應用。
誠于中者，形于外。仟目激光以誠達道，故而可以做出頂尖性能的芯片。同時仟目全體成員奮勇不止、砥礪前行，茍日新，日日新，又日新，唯有如此方能在日新月異的時代，以質量取勝，成為行業的中流砥柱。
